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当前位置: 首页 > 文章 > 关于半导体中深中心位形坐标图的几个问题 东北林业大学学报 1992 (5) 78-83
Position: Home > Articles > DISCUSSION ON THE CONFIGURATION COOR-DINATE DIACRAM OF A DEEP CENTER IN SEMICONDUCTOR Journal of Northeast Forestry University 1992 (5) 78-83

关于半导体中深中心位形坐标图的几个问题

作  者：
高瑞堂
单  位：
东北林业大学
关键词：
半导体;深中心;位形坐标图
摘  要：
位形坐标图是描述固体中杂质缺陷中心上的电子与晶体耦合引起的多种物理效应的有力工具,在半导体深中心行为的统一描述中常被使用。本文给出了由实验数据建立半导体中深中心位形坐标图的简便方法,分析了位形坐标图中各有关能量值的物理意义和容易混淆之处,指出了由实测数据建立位形坐标图时应注意温度效应这一因素。
译  名：
DISCUSSION ON THE CONFIGURATION COOR-DINATE DIACRAM OF A DEEP CENTER IN SEMICONDUCTOR
作  者：
Gao Ruitang(Northeast Forestry University)
关键词：
Semiconductor;;Deep centre;;Configuration coordirate diagram
摘  要：
The configuration coordinate diagram (C.C.diagram) is a powerful tool in describing the physical effects induced by the coupling between electrons which is on impurities defects and lattice in solid. It is frequently used in describing the behavior of the deep centre of semiconductor. This paper proposes a convenient method for constructing C.C. diagram of a deep centre which is based on the experimental results. Analyses and distinguishes the physical meaning of the energy magnitude which are involved in the C.C. diagram and points out that the temeprature effect must be considered in constructing C. C, diagram.

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