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日光温室嵌膜式基质栽培对根区温度及番茄生长和产量的影响

作  者:
李宝石;王奇;刘文科;邵明杰
单  位:
中国农业科学院农业环境与可持续发展研究所/农业农村部设施农业节能与废弃物处理重点实验室
关键词:
日光温室;番茄幼苗;根区温度;株高;地膜覆盖;
摘  要:
为研究垄嵌和沟嵌基质栽培以及覆膜方式对日光温室番茄根区温度和植株生长及产量的影响,试验设置梯形土垄栽培处理(SR),下底宽40 cm、高10 cm;起垄内嵌式基质栽培处理(SSC),下底宽40 cm、高10 cm,内嵌槽深20 cm(嵌入水平地面以下10 cm);内嵌槽全嵌入(20 cm)水平地面的土壤沟嵌栽培处理(SE),高度为零;土壤沟嵌上覆盖地膜栽培处理(SE+FM)。结果表明:8月29日—9月1日和10月25—28日两个时段最高与最低温度平均值差值均以SR处理最高,分别为5.95℃和1.36℃;均以SE+FM处理最低,分别为3.98℃和0.81℃。夜间低温阶段,SE+FM处理维持根区温度的能力相对优于其他处理,10月25—28日其根区平均温度分别比SR、SSC和SE处理高1.44、0.68℃和0.71℃。此外,SSC和SE处理与SR之间的各项指标(除株高外)差异不显著,SE+FM处理的番茄生长则显著优于SSC、SE处理,尽管和SR处理在生长指标上差异不显著,但SE+FM处理显著提高番茄产量14.31%。总之,覆盖地膜的土壤沟嵌处理抗低温的能力比其他处理强,能够有效减缓热量散失,为冬季日光温室番茄幼苗生长创造良好的根区温度条件,可促进番茄幼苗生长,从而提高产量。

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