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四氯化硅氢化关键反应的密度泛函理论模拟研究

作者：

王虎虎;彭文才;张建树;张金利

单位：

石河子大学化学化工学院;石河子大学化学化工学院/新疆兵团化工绿色过程重点实验室

关键词：

四氯化硅;氢化;密度泛函理论;模拟;

摘要：

本文利用Gaussian软件对四氯化硅氢化过程中的关键反应进行了理论研究,相关计算均通过密度泛函理论并采用B3LYP/6-311+G（2d,p）基组和方法进行。模拟结果表明该过程所涉及的反应遵循自由基链式机理;对各基元反应能量变化以及活化能进行比较,发现该过程的链引发为热致Si Cl₄分子均相分解为Si Cl₃自由基和Cl原子。Si Cl₃自由基引导并维持后续的链式扩展过程,随后经历自由基和原子间的终止反应,生成Si HCl₃、Si H₂Cl₂、Si H3_Cl和Si H₄等目标产物。

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